场效应管原理是什么？
场效应管 (Field Effect Transistor, FET) 原理
场效应管是一种半导体器件，其次要构造由三个区域构成：源极、漏极和栅极。栅极和源极之间的间隔十分短，构成一个十分强的电场，能够控造漏极和源极之间的电流。场效应管有两品种型：N型和P型。N型场效应管中，栅极是由掺杂了少量杂量的p型半导体系体例成的，漏极是由掺杂了大量杂量的n型半导体系体例成的，源极是由n型半导体系体例成的。P型场效应管中，栅极是由掺杂了少量杂量的n型半导体系体例成的，漏极是由掺杂了大量杂量的p型半导体系体例成的，源极是由p型半导体系体例成的。
在场效应管中，栅极的电场能够控造漏极和源极之间的电流。当栅极上的电场变革时，它会影响栅极和源极之间的电势差，进而影响漏极和源极之间的电流。当栅极电场为零时，源极和漏极之间的电流更大。当栅极上的电场增加时，它会抵消源极和漏极之间的电势差，从而减小电流。当栅极上的电场减小时，它会增加源极和漏极之间的电势差，从而增加电流。
场效应管的次要应用是做为放大器和开关。在放大器中，它能够放大小信号，如音频信号和射频信号。在开关中，它能够控造大电流的开关，如电机和灯胆等。
总之，场效应管是一种重要的半导体器件，其原理是通过栅极的电场控造漏极和源极之间的电流。它具有良多应用，如放大器和开关等。
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