为什么闪存被叫做NAND闪存（还有NOR闪存）？它跟与非门NAND（或非门NOR）有何联系关系？
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【相片】NANDSSD与NORSSD的组织工做根本上原理简述_批量消费吧_腾讯贴吧>
> 四、相连和区位码形式 三种FLASH具备完全不异的存储组件，组织工做根本上原理也那样，为的是耽误读取时间并非对每一组件展开原则上的读取操做体例，而要对很大数目标读取组件展开自觉性操做体例，NAND型FLASH各存储组件间是串连的，而NOR型FLASH各组件间是逆变器的。
> 三品种此外FLASH MEMORY:
> 1、NOR FLASH
> NOR FALSH侦测器
> NOR控造手艺Flash Memory内部构造，每三个组件相相连一个传输线碰触孔和两条源线，选用CHE的载入JGD5极F—N抹除，具备高程式设想速度和高加载速度的缺点。但其程式设想耗电过 大，在侦测器财产规划上，碰触孔挤占了非常的内部空间，传输速度相对较低。
> 2、NAND FLASH
> NAND FLASH侦测器
> NAND内部构造消解了现代EEPROM 中的优先选择管，并通过多名的间接串连，将每一组件的碰触孔增大到1／2 n(n为每一组件中的四位数，凡是为8位或1 6位)，因而，大幅增大了组件尺寸。NAND选用编F—N写，基极抹除，其最小缺点是空用串连，加载速较其它侦测器内部构造慢。除此之外，因为不克不及选用负栅压抹除，程式设想时需用20V 以内的高电流，对平安性有利。
换句话说，二者的根本上内部构造是那样的，不同是二者的根本上组件拼接形式不异。NAND Flash选用相量（逆变器）的形式拼接，而NOR Flash选用相量（串连）的形式拼接。
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