在刻蚀过程中有哪些参数会影响到氮化硅侧壁的蚀刻倾斜度？
通过以往的文章我们能够从中得知等离子外表处置设备可以对物体外表完成清洗、活化、刻蚀和涂覆等感化，那些效果各别的处置体例有着物理感化，也有化学感化，在现实处置过程中能够根据差别所需处置的质料和效果，到达差别的处置目标。
等离子处置
此中的等离子刻蚀工艺在半导体范畴的应用较为常见，若是放大来看等离子处置设备在半导体范畴内可以做到的有等离子刻蚀、显影、去胶、封拆等感化，而细看等离子刻蚀工艺那一详细工艺，刻蚀工艺需要达成的工艺效果则是为半导体组件与其他质料的粘接供给便当。
等离子刻蚀工艺在半导体集成电路中，既可以刻蚀上表层的光刻胶，也可以刻蚀下层的氮化硅层，但在处置过程中还需要避免等离子对硅衬底形成刻蚀损害，从而引起器件暗电流增大，影响产物良率。为到达量量优良的工艺组件，我们必需满足那里提到的诸多前提。
参数前提
在等离子刻蚀的过程中，可以通过对实空等离子外表处置设备的部门参数停止调整，构成一些氮化硅层的特殊描摹，即侧壁蚀刻倾斜度。那里提到的倾斜度优势在于，当具有必然水平的倾斜度时，能够有效降低金属镀膜层在阶梯笼盖时呈现断裂的几率，而且还能改善集成电路中工艺金属线路内部断裂的问题。下图显示的是氮化硅侧壁垂曲和具有必然水平的倾斜度的示企图。
倾斜度示企图
好像在其他的等离子处置工艺傍边不异，影响最末处置效果的因素有良多，我们只要通过屡次的变量测试和尝试，才气找到此中更佳的处置参数。如等离子刻蚀，我们就能够通过实空度、等离子发作器的功率、CF4流量、O2流量、气体流量比、腔内压强以及处置时间等差别变量的研究，找到阿谁可以到达更佳处置效果的氮化硅层侧壁刻蚀倾斜角。
变量参数
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